Дні науки НаУКМА (2018)
29 січня і 7 лютого 2018 року відбувся щорічний науковий воркшоп кафедри фізико-математичних наук в рамках Днів науки НаУКМА, присвячений актуальним проблемам фізики.
Анонс
Ефекти пам’яті у тонких діелектричних шара (Л.Ю.Хоменкова)
Нові композитні структури на базі кремнію з конкурентними світловипромінюючими та фотовольтаічними властивостями (Р.К.Савкіна)
Нові композитні структури на базі HgCdTe для мультиспектральних детекторів ІЧ та ТГц випромінювання (О.Б.Смірнов)
Емпіричний аналіз гравітаційної хвилі Місяця та глобального потепління (Й.Мацукі)
Динаміка топологічних збуджень у викривлених низьковимірних магнетиках (К.В.Єршов)
Дослідження трибологічних властивостей аліфатичних сполук на атомно гладких поверхнях (А.Васько)
Порівняльний аналіз дифракційного розсіяння легких ядер на ядрах вуглецю 12C (Ю.Степаненко)
Середа 31 січня 2018
14:00-14:40
Ефекти пам’яті у тонких діелектричних шарах
Лариса Юріївна Хоменкова, ст.н.сп., к.ф-м.н, НаУКМА та Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
Розвиток мікроелектроніки супроводжується стрімкою мініатюризацією приладів та підвищенням їх швидкодії, а також збільшення кількості елементів на одній інтегральній схемі. При такому ущільненні схем вникає їх розігрів при роботі, що суттєво знижує ефективність приладів. Вирішення проблеми відведення тепла, а також підвищення швидкодії приладів полягає у пошуку нових матеріалів, які мають високу термічну та електричну стабільність.
Багато років основним діелектриком мікроелектроніки був оксид кремнію. Його властивості задовольняли всім вимогам мікроелектронних приладів, а саме - мала кількість дефектів, досконалий інтерфейс підкладка/діелектрик, термічна та електрична стабільність при роботі. Але подальша мініатюризація елементів інтегральних схем унеможливлюється внаслідок низької діелектричної сталої оксиду кремнію (ε=3.9). Тому виникла необхідність у пошуку нових матеріалів, які дозволять зменшити розміри елементів, вдосконалити їх термічну стабільність, збільшити швидкодію, тощо.
Одними з перспективних матеріалів є діелектрики з високою діелектричною сталою (ε>7), які також мають високу термічну стабільність. В доповіді розглядаються методи виготовлення тонких діелектричних шарів, як простих (на основі одного матеріалу), так і композитних (наприклад, з вбудованими напівпровідниковими або металевими кластерами). Обговорюються фізичні явища, які призводять до зміни структурних та електричних параметрів матеріалів, наводяться приклади використання таких матеріалів в елементах пам’яті, розглядаються шляхи керування властивостями матеріалів з метою підвищення ефективності приладів.
Проглянути презентації на сторінці можуть власники облікових записів Office 365
Завантажити презентацію pptx, pdf.
14:50-15:30
Нові композитні структури на базі кремнію з конкурентними світловипромінюючими та фотовольтаічними властивостями
Рада Костянтинівна Савкіна, ст.н.сп., к.ф-м.н, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
В доповіді буде розглянуто можливості методу сонохімічного синтезу композитних структур на базі органічна/неорганічна чи неорганічна/неорганічна сполука, що являються біосумісними матеріалами та володіють конкурентними світловипромінюючими та фотовольтаїчними властивостями. Будуть представлені результати дослідження властивостей багатофункціональних структур з оптичноактивною, субнано- та наноструктурованою поверхнею, на базі мультикристалітного кремнію, функціоналізованого біосумісними матеріалами типу (CaO-SiO2) та Ca10(PO4)6(OH)2
Принципова реалізація таких структур дозволить наступним кроком їх мініатюризацію та використання в якості оптичних біоміток для візуалізації тканин або внутрішньоклітинних структур, в якості датчика для виявлення біологічних молекул, або в якості пристроїв стеження
Завантажити презентацію pptx, pdf.
15:40-16:20
Нові композитні структури на базі HgCdTe для мультиспектральних детекторів ІЧ та ТГц випромінювання
Олексій Борисович Смірнов, ст.н.сп., к.ф-м.н, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України
В доповіді будуть розглянуті можливості методу іонного легування приповерхневих шарів напівпровідникових структур на основі HgCdTe, які широко використовуються в ІЧ фотоелектроніці. Запропонований метод дозволяє формувати композитні структури типу «нанокристалічне включення–матриця», а також фотодіоди з субмікронною глибиною залягання p-n переходів, на основі яких можуть бути створені детектори ІЧ та ТГц випромінювання. Будуть представлені результати дослідження властивостей структур типу Ag2O/HgCdTe/ZnCdTe та проаналізовані можливості створення на їх основі мультиспектральних детекторів.
16:30-17:10
Емпіричний аналіз гравітаційної хвилі Місяця та глобального потепління (доповідь англ. мовою)
Yoshio Matsuki, PhD, NaUKMA
Завантажити презентацію ppt, pdf.
Середа 7 лютого 2018
14:00-14:40
Динаміка топологічних збуджень у викривлених низьковимірних магнетиках
Костянтин Васильович Єршов, випускник НаУКМА, к.ф-м.н, НаУКМА та Інститут теоретичної фізики ім. М.М. Боголюбова НАН України
Використовуючи феноменологічну модель Ландау-Ліфшиця-Гільберта та запис обмінної енергії в криволінійній системі координат, передбачено ряд нових ефектів в статиці та динаміці топологічно нетривіальних розподілів намагніченості у викривлених низьковимірних феромагнетиках. Показано, що локалізована кривина виступає потенціалом притягання для поперечної доменної стінки. Отримано вирази для частоти власних коливань та ефективний коефіцієнт релаксації для стінки на локальному згині плоского дроту. Знайдено рівняння руху для доменної стінки у викривленому дроті під дією градієнта кривини.
14:50-15:30
Дослідження трибологічних властивостей аліфатичних сполук на атомно гладких поверхнях
Артем Васько, випускник НаУКМА, Інститут фізики НАН України
Молекулярна структура і трибологічні властивості впорядкованих моношарів алканів (CnH2n+2, n=10,14,16) на інтерфейсі реконструйованого Au(111) були досліджені сканувальним тунельним мікроскопом (СТМ) та магнітним левітуючим трибометром (МЛТ). Показано, що за цих умов коефіцієнт тертя безпосередньо залежить від довжини молекули алкану. Зі зростанням n в структурному ланцюгу алкану коефіцієнт тертя зменшується. Така зміна пов’язана зі зменшенням сили тертя молекул з довжинами близькими до періоду співрозмірності між CH2-CH2-CH2 періоду вздовж алкильного ланцюга (~2.51Å) та міжатомною відстанню (~2.88Å) поверхні Au(111) вздовж напрямку <110>.
Завантажити презентацію ppt, pdf.
15:40-16:20
Порівняльний аналіз дифракційного розсіяння легких ядер на ядрах вуглецю 12C
Юрій Миколайович Степаненко, випускник НаУКМа, к.ф.-м.н., Інститут ядерних досліджень НАН України
Для вивчення природи ядерних сил дослідники застосовують експерименти з розсіяння іонів на ядрах. Аналіз кутових розподілів продуктів, отриманих у вихідних каналах (пружне, непружне розсіяння, реакції), дозволяє отримати відомості про характер міжядерної взаємодії, ядерні процеси та внутрішню структуру досліджуваних ядер. Зазвичай у певному кутовому діапазоні експериментальних розподілів пружного (непружного) розсіяння визначеної взаємодіючої пари ядер для різних енергій спостерігаються осциляції. Краще розуміння цієї осциляційної природи залежної від енергії дає ширші уявлення про структуру взаємодіючих ядер, а комплексний аналіз осциляційної картини кутових перерізів для різних ядерних систем, відповідно, дозволяє отримувати інформацію про взаємодію — закономірності та відмінності залежні від зарядового та нуклонного чисел. Такий аналіз також дозволить здійснювати точніші прогнози експериментів з розсіяння іонів на ядрах (тобто розраховувати диференціальні розподіли продуктів розсіяння).
В даній доповіді представлені результати дослідження пружного розсіяння легких ядер (3,4,6He, 6,7Li, 7,9Be, 11B, 12,13,14C, 14N, 16,18O) на ядрах вуглецю 12C в енергетичному діапазоні налітаючого іона від 1 до 200 МеВ/нуклон та переданого імпульсу до 3-4 фм-1. Якісне наочне розуміння осциляційної природи перерізів пружного розсіяння для заданого кінематичного діапазону підтвержено кількісним описом з отриманням гладких аналітичних функцій, які забезпечують задовільний опис положень екстремумів (максимумів та мінімумів), й відповідно визначають значення дифракційного радіусу. Побудовані параметризації задовільняють опис експериментальних даних (для досліджувальних взаємодіючих пар, в тому числі з радіоактивними ядрами 6He, 7Be, 14C, 18O). Побудовано параметричні функції, які описують значення перерізів у їх осциляційних максимумах.
Завантажити презентацію pptx, pdf.